DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)

DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)

Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores calientes.

Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutación, una baja caída de Voltaje uando están polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4 voltios).

Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica se hace un material semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico, cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando también a tener un efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor, según lo indicado en la figura N°05. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor, el cátodo.

diodo Schottky 

En una deposición de aluminio (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la ensambladura.

Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.

La principal aplicación de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensión, en las cuales las caídas en los rectificadores son significativas.

Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones n circuitos de alta velocidad como en computadoras, donde se necesitan grandes velocidades de conmutación y su poca caída de voltaje en directo ausa poco gasto de energía.

En la imagen esta la curva caracteristica de diodo Schottky:

curva caracteristica del diodo schottky

Diodos invertidos

DIODOS INVERTIDOS

Los diodos zéner tienen tensiones de ruptura superiores a los 1,8V. Si se incrementa el nivel de dopado del diodo se logra que el efecto zéner de regulación ocurra cerca de los 0V. La

conducción en polarización directa se logra a partir de los 0,7V; pero la conducción inversa (punto de ruptura) se inicia a partir de los –0,1volts. A los diodos que tienen esta característica se les conoce con el nombre de diodos invertidos , ya que conducen mejor en polarización inversa que en polarización directa. Se los usa para amplificar señales débiles cuyas amplitudes pico a pico se encuentran

entre 0,1 y 0,7V.