DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)
Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una ca铆da de voltaje directa (VF) muy peque帽a, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben tambi茅n el nombre de diodos de recuperaci贸n r谩pida (Fast recovery) o de portadores calientes.
Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutaci贸n, una baja ca铆da de Voltaje uando est谩n polarizados en directo (t铆picamente de 0.25 a 0.4 voltios).
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal met谩lica se hace un material semiconductor, el contacto tiene, t铆picamente, un comportamiento 贸hmico, cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una regi贸n semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando tambi茅n a tener un efecto de rectificaci贸n. Un diodo Schottky, se forma colocando una pel铆cula met谩lica en contacto directo con un semiconductor, seg煤n lo indicado en la figura N°05. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad m谩s grande de los portadores en este tipo de material. La parte met谩lica ser谩 el 谩nodo y el semiconductor, el c谩todo.
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| diodo Schottky |
En una deposici贸n de aluminio (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran hac铆a el metal, creando una regi贸n de transici贸n en la ensambladura.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) est谩n en tr谩nsito. Su conmutaci贸n es mucho m谩s r谩pida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regi贸n tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (t铆picamente de 0,3V). La Regi贸n N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la p茅rdida de conducci贸n, por esto, la tensi贸n m谩xima soportable para este tipo de diodo est谩 alrededor de los 100V.
La principal aplicaci贸n de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensi贸n, en las cuales las ca铆das en los rectificadores son significativas.
Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones n circuitos de alta velocidad como en computadoras, donde se necesitan grandes velocidades de conmutaci贸n y su poca ca铆da de voltaje en directo ausa poco gasto de energ铆a.
En la imagen esta la curva caracteristica de diodo Schottky:
curva caracteristica del diodo schottky
Diodos invertidos
DIODOS INVERTIDOS
Los diodos z茅ner tienen tensiones de ruptura superiores a los 1,8V. Si se incrementa el nivel de dopado del diodo se logra que el efecto z茅ner de regulaci贸n ocurra cerca de los 0V. La
conducci贸n en polarizaci贸n directa se logra a partir de los 0,7V; pero la conducci贸n inversa (punto de ruptura) se inicia a partir de los –0,1volts. A los diodos que tienen esta caracter铆stica se les conoce con el nombre de diodos invertidos , ya que conducen mejor en polarizaci贸n inversa que en polarizaci贸n directa. Se los usa para amplificar se帽ales d茅biles cuyas amplitudes pico a pico se encuentran
entre 0,1 y 0,7V.